Wafer-Veredelungen
Die Active Business Company GmbH versteht sich als Dienstleister seiner Kunden und orientiert sich an deren Bedürfnissen. Aufgrund unseres erprobten Dienstleistungsnetzwerkes wird das Portfolio ständig erweitert
Derzeit werden die folgenden Dienstleistungen angeboten
Thermische Oxidation
Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem Silizium-Wafer eine Schicht aus Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Beschichtungsprozess basiert auf einer chemischen Reaktion von Sauerstoff und Silizium bei Temperaturen zwischen 900°C und 1100°C.
Nasse Thermische Oxidation
- Nasse Oxidation (Wet Thermal Oxide) von 100 nm bis zu 15000 nm
Trockene Thermische Oxidation
- Trockene Oxidation (Dry Thermal Oxide) von 10 nm bis 300 nm
- Trockene chlorierte Oxidation (Dry Chlorinated Thermal Oxide) von 10 nm bis zu 300 nm
Härten
- Härten im Umgebungsklima (Thermal Annealing)
- Formiergashärten
- kundenspezifische Temperaturen möglich
- Standard SEMI-spezifizierte Siliziumwafer oder auch spezielle Geometrien
Siliziumnitrid
In der Halbleitertechnik wird Siliziumnitrid als Isolations- oder Passivierungsmaterial bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet. Darüber hinaus wird es in vielen Prozessen als Maskierungs- und Stoppmaterial genutzt, beispielsweise in der lokalen Oxidation von Silizium. Der Vorteil ist hier ein abweichendes chemisches Verhalten etwa gegenüber Ätzmitteln im Vergleich zum Standardmaterial Silicium Dioxid, das heißt, man nutzt Ätzmittel, die zwar Siliziumdioxid aber nicht Siliziumnitrid angreifen, oder umgekehrt.
LPCVD Nitrid (beidseitige Beschichtung)
- Stöchiometrisches Nitrid (Filmstress >800 MPa)
- Low Stress Nitrid (Filmstress <250 MPa)
- Super Low Stress Nitrid (Filmstress <100 MPa)
PECVD Nitrid (einseitige Beschichtung)
- Stöchiometrisches Nitrid (Filmstress >400 MPa)
- Low Stress Nitrid (Filmstress <250 MPa)
Weitere Beschichtungen
- Titan (Ti)
- Titan-Nitrid (TiN)
- Chrom (Cr)
- Gold (Au)
- Aluminium (Al, AlCu)
- Kupfer (Cu)
- Nickel (Ni)
- Tantal (Ta)
- Wolfram (W)
- Silizium-Karbit (SiC)
- Silizium-Nitrid (SiN)
- uvm
Laserschneiden & -beschriften
- Durchmesserreduktionen und spezielle geometrische Schnitte
- Format: gemäß SemiStd oder nach Kundenspezifikationen
- LM-Tiefe von 4 µm (soft laser mark) bis 60 µm (hard laser mark)
- Beschriftungen in Vektoren- oder Punktmatrix
Waferdünnen
- 2″, 3“, 4″ Si-Wafer bis auf 10-20µm
- 6“ Si-Wafer bis auf 50 µm
- 8“ Si-Wafer bis auf 50 µm
- 12“ Si-Wafer bis auf 200 µm
- einseitig oder beidseitig polierte Bearbeitung