SOI-Wafer
Die Active Business Company GmbH liefert SOI (Silicon on Insulator)-Wafer unterschiedlichster Spezifikationen. Dazu gehören Thick-Film-SOI mit einem Device Layer >2 µm als auch Thin-Film-SOI mit einem Device Layer <2 µm.
Thick-Film-SOI
Bei Thick-Film-SOI-Wafern werden zwei oxidierte Si-Wafer gebondet und anschließend gemäß der erforderlichen Anforderungen poliert. Typischerweise liegt dabei der Durchmesser dieser SOI-Wafer zwischen 3“ und 8“. Der Device-Wafer (DW) besitzt dabei üblicherweise eine Dicke zwischen 2 µm bis 150 µm, der Handle-Wafer (HW) liegt zwischen 300 µm und 725 µm. Das dazwischen angebrachte Oxid (Buried Oxide) besitzt meist eine Dicke zwischen 0,5 µm und 10 µm.
Thin-Film-SOI
Bei Thin-Film-SOI-Wafern kommt ein Ionentransplantationsverfahren (z.B. SIMOX) zum Einsatz. Typischerweise liegt dabei der Durchmesser dieser SOI-Wafer zwischen 6“ und 8“. Der Device-Wafer (DW) besitzt dabei üblicherweise eine Dicke zwischen 0,05 µm bis 2 µm, der Handle-Wafer (HW) liegt zwischen 300 µm und 725 µm, wobei das dazwischen liegende Oxid meist eine Dicke zwischen 0,05 µm und 0,4 µm aufweist.
SOI-Wafer Spezifikationen
Typische Spezifikationen:
Verwendete Technologie
Durchmesser
Device Layer Dicke
Buried Oxyde
Handle Wafer Dicke
Thick-Film-SOI:
Bonden und Polieren
3″ – 8″
2 µm – 150 µm
0,1 µm – 15 µm
250 µm – 725 µm
Thick-Film-SOI:
SIMOX und andere
6″ – 8″
0,05 µm – 2 µm
0,05 µm – 0,4 µm
250 µm – 725 µm