Si-Si-Bonded-Wafer

Si-Si gebondete Wafer bieten eine kosteneffektive Alternative zu dicken EPI-Schichten und inverse EPI an, welche traditionell für z.B. Leistungsgeräte und PiN Dioden verwendet werden.

Wir bieten eine fortschrittliche Wafer-Bonding Technologie an, welche eine Herstellung von Silizium-Substraten mit einer oder mehreren Stufen unterschiedlicher Dotierung ermöglicht. Die Dotierung angrenzender Schichten kann im Bereich von 0,001 bis 10.000 Ohmcm, N- oder P-Typ, differieren, ohne dass ein Autodoping stattfindet (im Gegensatz zur konventionellen EPI-Herstellung). Die Si-Schichten besitzen eine sehr geringe Fehlerdichte, gleichartig mit denen von normalem Single-Kristall-Silizium, sowie eine geringe Wölbung.

Si-Si gebondete Wafer sind hervorragend geeignet für Anwendungen wie PIN Dioden oder bei der Herstellung von Hochspannungs-IGBTs, bei denen leicht dotierte EPI Schichten auf hoch dotierten Substraten Verwendung finden und bei denen eine hohe Qualität der EPI Schichten benötigt wird.
Die konventionelle SOI-Technologie ermöglicht eine verbesserte Schichtstärkenkontrolle (± 0,5 µm bzw. ± 1 µm), unabhängig von der Schichtstärke, im Gegensatz zur konventionellen EPI-Herstellung.

Für Entwickler im Bereich Mikrobearbeitung bieten Si-Si gebondete Wafer eine weitere Alternative Einkristallschichten mit unterschiedlichen Kristallorientierungen und Dotierkonzentrationen zu ermöglichen und somit eindeutige Strukturen zu erschaffen.